相位噪声类型

发布时间：2026-04-30 11:10

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相位噪声类型

晶体振荡器的噪声

谐振器是靠近载频的主要噪声源振荡器电路是远离载频的主要噪声源 N 次倍频使相位噪声增大 N 2 (即 20logN，dB)在许多应用中，振荡引起的“噪声”比所有其他噪声都强（见后面的加速度效应部分）

靠近载波（在谐振器带宽内）时， Sy(f )呈 1 /f 变化， SΦ(f )呈 1 / f 3 变化，其中 f 为偏离载波频率 v。

SΦ(f)f 也呈 1 /Q 4 变化，其中 Q 为无载 Q 值。由于 Qmaxv =常数，故 SΦ()f ∝v 4 。

(Qmax v)BAW =1.6 ×10 13 Hz ； (Qmax v)SAW =1.05×10 13 Hz

在时域中，噪声本底为 σy (τ)≥(2.0 ×10 −7 )Q −1 ≈1.2 ×10 20 v （ v 的单位为 Hz）。在σy(τ) 呈τ −1 和τ −12 变化（τ −12 ）时，

σy (τ)∝ (QSR )−1

式中：SR为信噪比，即 Q 值和信噪比越高，短期稳定度越好（而在频域时，相位噪声远离载频）。

当振荡器电路时重要的噪声源时，振荡器的 Q 值对噪声有影响。

噪声本底受热噪声影响，在 290°K 时，噪声功率 kT＝－178dBm／Hz。

较高的信号电平将改善噪声本底，但不是近载频噪声。（实际上，高的激励电平一般都能降低近载频噪声）。

低噪声 SAW 与低噪声 BAW 用于倍频比较：

在 f < 1kHz 时，BAW 噪声较小，在 f > 1kHz 时，SAW 的噪声较小；两者均可用于琐相，以获得昀佳性能。

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